M区支架模体主要测量机头M区内外泄露辐射，支架根据WS674的方法在不同位置的孔内放射热释光剂量片来测量泄漏辐射剂量应在模体中测量，模体各边比照射野至少大5cm；模体的深度至少比测量深度大5 cm，入射表面垂直于参考轴，放置在正常治疗距离。

标题：M区支架模体

产品概述

M区支架模体

>>>说明书<<<

1. M区支架电子线时杂散辐射的检测方法

       M区支架主要测量机头M区内外泄露辐射，支架根据WS674的方法在不同位置的孔内放射热释光剂量片来测量泄漏辐射剂量应在模体中测量，模体各边比照射野至少大5cm；模体的深度至少比测量深度大5 cm，入射表面垂直于参考轴，放置在正常治疗距离。

       在最大照射野下，给出的电子能量分别测量杂散 X 射线占总吸收剂量的剂量比。

图A. 1 M区支架示意图

A. 1. X 射线照射时相对表面剂量检测方法

       应在模体中测量，模体各边比照射野至少大5cm；模体的深度至少比测量深度大5cm，入射表面垂直于参考轴，探测器放置在正常治疗距离。

       应从辐射束中移开所有不用工具就可取下的辐射束形成装置，所有均整过滤器应留 在其规定位置上，在最大照射野下，对表 2 中给出的电子能量分别测量相对表面剂量。

A.2. 透过限束装置的泄漏辐射检测方法

A.2. 1. X 射线穿过限束装置 测量条件如下：

       用至少 2 个十分之一值层的 X 射线吸收材料将射线出线口屏蔽 。对非重叠式限束装置，应在最小照射野尺寸下测量；

       最大泄漏辐射处用辐射探测器测量，辐射探测器的横截面应≤1cm²；

       应在模体中最大吸收剂量深度处测量。

漏辐射测量按如下方法进行：

       将矩形照射野对称地设定成最大（X 方向） 乘最小（Y 方向） ；

       用辐射探测器测量 24 个点 ，确定其平均值 ，求出相对于最大吸收剂量的百分比值；

       再对称地设定最小（X 方向） 乘最大（Y 方向） 照射野 ，重复 A.3. 1.2 b） 的检测； 

       对所有的 X 射线能量 ，重复上述测量。

       如果有一个多元限束装置 ，则打开可调节或可互换的限束装置， 以产生一个面积约为 300 cm²（约 18 cm×18 cm） 的正方形照射野 。把多元限束装置关闭到与该照射野协调一致的最小值 ，用辐射探测器测量多元限束装置屏蔽的区域。

A.2.2. 电子线穿过限束装置 测量条件如下：

       用 10 mm 与组织等效的材料作为建成模拟构成，对所有尺寸的电子束限束器/限束系统，在对应的最大和最小能量下，基于型式试验中规定的电子能量所测数据的最不利组合下，在正常治疗距离处做射线摄影；

       在几何照射周边外 2cm 处的线和 M 区域边界之间区域中定出最大吸收剂量点的位置；

       用一横截面不大于 1 cm² 的辐射探测器进行测量，探头对于从辐射探测器下面的物质散射的辐射要有足够的防护。

按如下方法进行测量：

       在M区中，沿八条分割线（见图 A.2） 以 2 cm 的间隔，从几何照射野周边外 5 cm 的点到 M 边 界内，用辐射探测器测量；

       对每个电子束限束器/限束系统，确定辐射探测器读数的平均值对应参考轴上正常治疗距离处最大吸收剂量的百分比值。

A.2.3. M 区域外的泄漏辐射测量（中子除外） 测量条件如下：

       基于型式实验结果，在给出最大泄漏辐射的组合条件下；

       在所有的 X 射线能量和在最高的电子线能量下，确定最大泄漏辐射的点，在这些点 上用辐射探测器测量。

按如下方法进行测量：

       在图 A.3 中给出的 41 处位置上 ，用辐射探测器测量；

       用 24 个测量值的平均值确定泄漏辐射平均吸收剂量的百分比值。

表 A. 1   模体配置清单